ТРАНЗИСТОРЫ

NPN (TV/Monitor-HA, 1500V, 15A, tf<300ns)

NPN (S-L, 1100/800V, 3A, 50W, <500/3300ns)

NPN (Uni, ra, 60V, 0,15A, 0,4W, 130MHz)

300V 30A

MOSFET-P+P Dual: 30V, (5.2A) 2W

MOSFET-P Dual: (30V, 7A, 2W)

MOSFET-N+P Dual: 40V, (N=8,3A, 3,1W) (P=7A, 3,1W)

MOSFET-N+P Dual: 40V, (N=8A, 20W) (P=8A, 30W)

MOS-P-FET-e (100V, 40A, 200W, <60mΩ)

N-MOSFET  75V, 120A, 300W, <4,1mΩ

N-MOSFET 200V, 31A, 3,1W, <0.082Ω

N-MOSFET  40V, 162A, 200W, <4mΩ

N-MOSFET  40V, 50A, 44W, <0,0085Ω

N-MOSFET 270V,  0,25A, 1W, <8Ω(0,25A

N-MOSFET 60V, 25A, 25W, <0,04Ω

MOS-N-FET UHF Power Amplifier (17V 0,4A, 835Mhz)

N-MOSFET  60V, 65A, 110W, <11mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 65 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 8 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 11 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Заряд затвора 54 нКл, Рассеиваемая мощность 2.5 Вт, Ёмкость затвора 2 220 Ф

N-MOSFET 500V, 23A, <0,21Ω Super FAP-E 3  Series

N-MOSFET 650V, 10A, 50W, <1.0Ω = MDF10N65B

N-MOSFET 600V, 10A, 50W, <0,8Ω = FQPF10N60C MDF10N60G

N-MOSFET 800V,  3A, 35W, <3,3Ω

MOS-N-IGBT (360V, 35A)

MOS-N-IGBT+Di (600V, 30A, 187W, 23ns)

PNP-Darl+Di (NF/S-L, 100V, 5A, 65W, B>1000)

PNP ( 40V, 0,6A, 0,3W, >200MHz, B>100 )

PNP (Uni, 60/40V, 0,8A, 0,35W, >200MHz, B>100 )

PNP (NF/S-L, -/300V, 0,5A, 20W)

NPN (250V, 8A, 50W)

NPN (S-L, SMPS, 700/400V, 12A, 100W, >4MHz)

NPN (S-L, SMPS, 700/400V, 8A, 40W, >4MHz)