10 Активные компоненты

BAR61E6327HTSA1 RF switch, RF attenuator for frequencies above 10 MHz
100V, 140mA

2шт 100V, 215mA, t=4ns, 1,25V

Si-Di (1000V, 1,5A)

Si-Di (SS, 75V, 0,2A, <4ns)

Si-Di (50V, 10A)

Triac симистор (800V, 40A, Igt<50mA)

Triac симистор (700V, 40A, Igt<50mA)

Triac симистор (600V,16A(Tc=75°),Igt/Ih<100/<50mA)

Triac симистор (600V, 6A(Tc=75°), Igt/Ih<50/<25mA)

Triac симистор (600V, 4A, Igt/Ih<10/<15mA)

Triac симистор (600V, 4A, Igt/Ih<5/<10mA)

Thyristor (400V, 25 мА, 5А, 8А max)

Thyristor (600V, 3A)

Fast thyristor (600V, 0,5A, Igt/Ih<0,2/<5mA)

Fast thyristor (600V, 12A, Igt/Ih<15/<20mA, 2µs)

MOSFET-P+P Dual: 30V, (5.2A) 2W

MOSFET-P Dual: (30V, 7A, 2W)

MOSFET-N+P Dual: 40V, (N=8,3A, 3,1W) (P=7A, 3,1W)

MOSFET-N+P Dual: 40V, (N=8A, 20W) (P=8A, 30W)

MOS-P-FET-e (100V, 40A, 200W, <60mΩ)

N-MOSFET  75V, 120A, 300W, <4,1mΩ

N-MOSFET 200V, 31A, 3,1W, <0.082Ω

N-MOSFET  40V, 162A, 200W, <4mΩ

N-MOSFET  40V, 50A, 44W, <0,0085Ω

N-MOSFET 270V,  0,25A, 1W, <8Ω(0,25A

N-MOSFET 60V, 25A, 25W, <0,04Ω

MOS-N-FET UHF Power Amplifier (17V 0,4A, 835Mhz)

N-MOSFET  60V, 65A, 110W, <11mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 65 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 8 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 11 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Заряд затвора 54 нКл, Рассеиваемая мощность 2.5 Вт, Ёмкость затвора 2 220 Ф

N-MOSFET 500V, 23A, <0,21Ω Super FAP-E 3  Series

N-MOSFET 650V, 10A, 50W, <1.0Ω = MDF10N65B