10 Активные компоненты

MOS-N-IGBT (1350V, 20A) с ДИОДом

AZ1084S-1.8

AMS1117CD-5.0

AMS1083CM 8A LOW DROPOUT VOLTAGE REGULATOR. Vin <15V
Может работать при разнице входного и выходного напряжения до 1 В.
Падение напряжения на устройстве не превышает 1,5 В при максимальном выходном токе и уменьшается при меньших токах нагрузки.

N-MOSFET 800V,  7A, <1,45Ω

TC4056A — микросхема, которая используется в модулях заряда для одноэлементных литий-ионных (Li-ion) и литий-полимерных (Li-po) аккумуляторов. Это полный линейный контроллер заряда по методу постоянного тока / постоянного напряжения (CC/CV).
TC4056A часто встречается в виде готовых модулей с разъёмами Micro USB или Type-C, а также с дополнительной защитой от перезаряда, переразряда и короткого замыкания (например, с чипом DW01A).

300V, 600W Однонаправленный Защитный диод.

39V, 600W Двунаправленный Защитный диод.

Triac симистор (1000V, 25A, Igt/Ih<50/<75mA)
High current Triac
Low thermal resistance with clip bonding

МОСТ  3A, 1000V

Triac симистор (1000V,12A(Tc=75°),Igt/Ih<100/<50mA)

N-MOSFET 900V,  6(9)A, 90W, <1Ω

N-MOSFET 100V, 180A, 240W, <4mΩ

Ignition IGBT 400V, 20A, Uкэ.нас: 1,3 В

AS15-аналоги: AS15-G, AS15-F, AS15-U, AS15 H, AS15 HF, AS15, AS15 AF, TSL1014IF, SL1014I, HX8915, HX8915-A, RM5101, EC5575,i78h48

H: открытая площадка (3,05 x 3,05 мм) G: зеленая упаковка
14+1-канальный буфер с опорными напряжениями для гамма коррекции от компании E-CMOS
=AS15-G, AS15-F, AS15-U, AS15 H, AS15 HF, AS15, AS15 AF, TSL1014IF, SL1014I, HX8915, HX8915-A, RM5101, EC5575,i78h48

N-MOSFET 700V,  8A, 63W, <0.6Ω
Ток стока номинальный при 25°C 8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 600 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 600 мОм, Максимальное напряжение затвора 30 В, Рассеиваемая мощность 63 Вт

Ignition IGBT 400V, 20A, Uкэ.нас: 1,35 В 150W
Корпус TO263 , Напряжение К-Э максимальное 420 , Ток коллектора максимальный при 25°C 30 А, Напряжение насыщения К-Э 1,35 В, Время включения 650 нс, Время выключения 13.5 мкс, Максимальная мощность 150 Вт, Заряд затвора 29 нКл, Тип входа логический

N-MOSFET 650V, 90A, 430W,  <0,029Ω
Ток стока номинальный при 25°C 90 А, Сопротивление открытого канала (мин) 29 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 29 мОм, Максимальное напряжение затвора 30 В, Рассеиваемая мощность 430 Вт

N-MOSFET 600V, 23A, 150W, <0,16Ω
Максимальное напряжение затвора 30 В

N-MOSFET  60V, 75A, 56W, <7mΩ
Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 29 нКл, Рассеиваемая мощность 56.8 Вт

N-MOSFET 100V, 55A, 96W, <12mΩ
Диапазон номинальных напряжений затвора, max    10 В
Заряд затвора  113 нКл
Ёмкость затвора 5 401 пФ

N-MOSFET  20V,  3A, <47mΩ
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 47 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 61 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4.5 В, Заряд затвора 3 нКл, Ёмкость затвора 200 пФ

N-MOSFET 150V, 119A, 344W, <9mΩ

N-MOSFET 600V, 80A, 410W,  <0,039Ω
Максимальное напряжение затвора 30 В, Рассеиваемая мощность 410 Вт

N-MOSFET 600V, 12A, 80W, <0,38Ω
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 380 мОм, Максимальное напряжение затвора 30 В, Рассеиваемая мощность 80 Вт

N-MOSFET 600V, 36A, 277W,  <0,097Ω
Максимальное напряжение затвора 30 В, Рассеиваемая мощность 277Вт WMJ36N60F2

N-MOSFET  60V, 55A, 100W, <8mΩ
Диапазон номинальных напряжений затвора, max    10 В
Заряд затвора    44 нКл
Ёмкость затвора    2 065 пФ