10 Активные компоненты

N-MOSFET 150V, 135A, 306W, <7.1mΩ
Максимальное напряжение затвора 20 В

N-MOSFET 100V,  6A, 3W, <0.14Ω
Диапазон номинальных напряжений затвора, min -20 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 20 В, Заряд затвора 15.5 нКл, Рассеиваемая мощность 3 Вт

N-MOSFET 150V, 90A, 375W,  <0,09Ω
Сопротивление открытого канала (мин) 9 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 9 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 10.9 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 47 нКл, Ёмкость затвора 3 609 пФ

N-MOSFET 650V,  6A, 45W, <0.65Ω

N-MOSFET 710V, 45A, 371W, <0,06Ω, 60nC

МОСТ  1A, 1000V

MOSFET-N+P Dual: 30V, (N=12A, 25W) (P=12A, 25W)

MOS-N-IGBT+Di (1200V, 40A, 347W, VCE(on) typ.=2V)

N-MOSFET 600V,  3,5A, 59W, <2Ω

N-MOSFET 600V,  8A, 78W, <0.62Ω

N-MOSFET 100V, 135A, 220W, <3,9mΩ

N-MOSFET 500V, 45A, 625W, <0,12Ω

N-MOSFET  80V, 120A, 220W, <_mΩ

MOS-N-IGBT+Di  (600V, 50A, 345W)

N-MOSFET 650V, 20A, <0,35Ω 62W = FQPF20N60C

N-MOSFET 150V, 90A, 375W,  <0,018Ω

N-MOSFET 800V,  3A, 80W, <2.7Ω

Triac симистор (600V, 8A(Tc=75°), Igt/Ih<50/<25mA)

MOS-N-IGBT+Di (600V, 40A, 1.9V, 280W)

Датчик Холла 3503 (AH3503, UGN3503UA, UGN3503, AH3503U)
ЛОГИКО-ЛИНЕЙНЫЙ ДАТЧИК С ЭФФЕКТОМ ХОЛЛА

Биполярный, высокотемпературный (+125) датчик с Эффектом Холла
Пит: 2,5-20В Заменяет OH1881 US1881

MOS-P-FET-e (60V, 30A, 34W, <0,061Ω(5A)

NPN (90V, 15A, 75W)

диодный мост, 800В, 1А (DB-S)